STW20NK50Z技术参数详情：
STW20NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与17A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实基础。
其关键性能指标包括在10V Vgs、8.5A Id条件下仅270毫欧的最大导通电阻（Rds(on)），以及119nC的最大栅极总电荷（Qg）。这些参数共同确保了器件在导通和开关过程中均具有低损耗特性，有助于提升系统整体能效。此外，其190W的最大功率耗散能力和150°C的最高结温（TJ）使其能够适应高功率密度和高温工作环境。
- 型号:STW20NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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