STW20NM60

STW20NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心参数为600V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），采用TO-247-3封装，具备出色的功率处理能力。

其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至290毫欧，有助于最小化导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg最大54nC）优化了开关性能，减少驱动损耗，适用于高频开关应用。器件最高工作结温为150°C，确保了高温环境下的可靠运行。

• 型号:STW20NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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