STW22N95K5技术参数详情：
STW22N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive, SuperMESH5系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）与低至330毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低传导损耗。
其技术参数针对高效开关进行了优化，包括48nC的低栅极电荷（Qg）和17.5A的连续漏极电流（Id）能力，有助于实现更快的开关速度和更高的功率处理密度。采用TO-247封装，支持宽达-55°C至150°C的工作结温范围，使其成为要求高可靠性和高效率的工业及汽车功率电子系统的关键组件。
- 型号:STW22N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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