STW23N85K5技术参数详情：
STW23N85K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于先进的SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为850V漏源电压（Vdss）和19A连续漏极电流（Tc），专为高效、高可靠性的功率开关应用设计。
其技术优势在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为275mΩ，同时栅极电荷（Qg）典型值较低。这一组合有效降低了导通与开关损耗，提升系统效率。器件支持高达150°C的结温工作，最大功率耗散为250W（Tc），确保了在工业级应用中的稳健性。
- 型号:STW23N85K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 850V 19A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:850 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:275 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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