STW28N60M2技术参数详情：
STW28N60M2是ST意法半导体推出的MDmesh II Plus系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压和24A的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括极低的导通电阻（150毫欧 @ 12A, 10V）和优化的栅极电荷（37nC @ 10V），这共同确保了在高频开关状态下兼具低传导损耗与低开关损耗，从而显著提升系统整体效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和170W的功率耗散能力，进一步保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STW28N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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