STW28NM50N

STW28NM50N是ST意法半导体基于MDmesh II技术推出的N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（V_DSS）和21A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）低至158毫欧（@10.5A），同时栅极电荷（Q_g）最大值仅为50nC（@10V）。这种低R_DS(on)与低Q_g的组合，能够显著降低系统的传导损耗和开关损耗，从而提升整体能效和功率密度，适用于对效率要求苛刻的功率转换场景。

• 型号:STW28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STW28NM50N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。