STW3N150技术参数详情：
STW3N150是ST意法半导体推出的一款高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件设计用于处理高达1500V的漏源电压（Vdss），并在壳温条件下提供2.5A的连续电流能力，最大功耗为140W。
其技术优势体现在优异的动态特性上，包括低至9欧姆的导通电阻（@1.3A, 10V）和仅29.3nC的栅极电荷（@10V），这共同实现了高效的开关性能与较低的驱动损耗。器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，最高结温可达150°C，确保了在高压、高功率应用环境下的可靠性与耐久性。
- 型号:STW3N150
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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