STW40N20技术参数详情：
STW40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件基于STripFET技术，核心规格为200V漏源电压（Vdss）与40A连续漏极电流（Id），适用于中高压、大电流的开关电路。
其性能亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至45毫欧（@20A），能显著降低导通损耗。同时，75nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并降低驱动需求。该器件设计工作结温范围为-55°C至150°C，最大功率耗散为160W（Tc），具备可靠的工业级鲁棒性。
- 型号:STW40N20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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