STW40N60M2技术参数详情：
STW40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至88毫欧（@10V，17A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗。
其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括34A（Tc）的高连续漏极电流、仅57nC的栅极电荷（Qg）以及250W（Tc）的强大功率处理能力。这些特性共同确保了器件在高频开关电源、电机驱动和工业功率转换系统中，能够实现高效率、高可靠性的运行，并简化热管理设计。
- 型号:STW40N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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