STW42N60M2-EP

STW42N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（V_DSS）和34A的连续漏极电流（I_D），提供了强大的功率处理能力。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡。通过优化的芯片设计，它在保持低导通电阻（典型值87mΩ @10V V_GS）以降低导通损耗的同时，还实现了极低的栅极电荷（最大55nC @10V），这有助于显著降低开关损耗并简化栅极驱动设计。这些特性使其成为提升开关电源效率与功率密度的理想选择。

• 型号:STW42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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