STW43NM50N

STW43NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为500V漏源电压（V_DSS）和37A连续漏极电流（I_D），专为要求高耐压与高电流处理能力的应用而设计。

其技术优势体现在MDmesh II技术带来的优异性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至85mΩ，有效降低了导通损耗；同时，栅极总电荷（Q_g）典型值为140nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下，能提供最高255W的功率处理能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STW43NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 18.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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