STW45N60DM2AG技术参数详情：
STW45N60DM2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压和34A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了优异的性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为93毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至56nC，这有助于提升开关速度并降低驱动功耗，从而优化系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STW45N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW45N60DM2AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
