STW48N60DM2

STW48N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V/40A的额定规格下，实现了极低的导通电阻（79mΩ @ 10V, 20A）与栅极电荷（70nC @ 10V），这使其在高压开关应用中兼具低传导损耗和高频开关性能。

其设计基于优化的超结技术，有效平衡了导通损耗与开关损耗的矛盾。高达300W（T_C）的功率耗散能力和150°C的最大结温，确保了其在严苛热环境下的稳定运行。这些特性使其成为提升工业电源、太阳能逆变器及电机驱动等系统效率与功率密度的理想选择。

• 型号:STW48N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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