STW48N60M6技术参数详情：
STW48N60M6是ST意法半导体推出的MDmesh M6系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件额定电压为600V，在25°C壳温下可连续通过39A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值69mΩ @10V, 19.5A），能有效降低传导损耗，提升系统效率。
同时，其优化的栅极电荷（最大57nC @10V）有助于实现快速开关，减少开关损耗。器件支持高达250W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命，是高功率、高效率电源转换和电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STW48N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 39A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69毫欧 @ 19.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2578 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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