STW56N65M2-4技术参数详情：
STW56N65M2-4是ST意法半导体基于MDmesh M2技术制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件提供650V的漏源电压额定值和49A（Tc）的高电流处理能力，其核心优势在于实现了62毫欧的低导通电阻与93nC的低栅极电荷的出色组合，这直接转化为更低的导通与开关损耗，从而提升系统整体能效。
器件采用TO-247-4L封装，独立的开尔文源极引脚优化了栅极驱动回路，确保了快速、稳定的开关性能。其最高工作结温为150°C，功率耗散能力达358W（Tc），具备高可靠性。这些特性使其成为要求严苛的高效率、高功率密度开关电源和功率转换应用的理想选择。
- 型号:STW56N65M2-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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