STW56N65M2技术参数详情：
STW56N65M2是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格为650V漏源电压和49A连续漏极电流，为高功率应用提供了坚实的电压和电流处理能力。
其技术亮点在于实现了优异的导通电阻与栅极电荷平衡。在10V驱动下，导通电阻最大值低至62毫欧，能有效降低导通损耗。同时，93nC的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为工业电机驱动、电源转换和新能源逆变器等高效能、高可靠性设计的理想选择。
- 型号:STW56N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 49A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:62 毫欧 @ 24.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:358W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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