STW57N65M5-4技术参数详情：
STW57N65M5-4是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件额定漏源电压为650V，在壳温条件下连续漏极电流可达42A，其核心优势在于实现了低至63毫欧（@10V，21A）的导通电阻与98nC（@10V）栅极电荷的出色折衷，有效优化了传导与开关损耗。
器件采用TO-247-4L封装，独立的开尔文源极引脚提升了开关性能。其最高结温为150°C，最大功耗250W（Tc），确保了在高功率应用中的热可靠性。这些特性使其成为工业电源、光伏逆变器及电机驱动等高压、高效率功率转换系统的关键组件。
- 型号:STW57N65M5-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4L
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4L
- 封装/外壳:TO-247-4
- 现在可以订购STW57N65M5-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
