STW65N80K5

STW65N80K5是意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（V_DSS）与极低的导通电阻（R_DS(on)）的结合，在10V V_GS、23A I_D条件下典型值仅为80毫欧，这显著降低了传导损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括最大92nC的栅极电荷（Q_g @ 10V）和高达46A（T_C=25°C）的连续漏极电流额定值。这些特性共同确保了器件在高压、大电流工作条件下，既能实现快速的开关切换，又能保持较低的功率耗散，最大耗散功率可达446W（T_C）。

因此，STW65N80K5非常适用于要求高效率和可靠性的中高功率开关电源、功率因数校正（PFC）及电机驱动等应用领域。

• 型号:STW65N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 46A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3230 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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