STW68N60M6技术参数详情：
STW68N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件额定电压为600V，在壳温25°C条件下可支持高达63A的连续漏极电流，为核心功率开关应用提供了坚实的电气基础。
其核心优势源于MDmesh技术，该技术实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗。这一特性使其成为追求高效率和高功率密度设计的理想选择，尤其适用于需要处理高压大电流的严苛环境。
- 型号:STW68N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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