STW68N65DM6-4AG

STW68N65DM6-4AG是ST意法半导体推出的一款汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4封装。该器件基于MDmesh M6技术，具备650V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达72A（T_C）的连续漏极电流处理能力，为高功率应用提供了坚实的基础。

其核心优势在于优异的效率表现，在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至39mΩ @ 36A，同时栅极电荷（Q_g）典型值仅为118nC，实现了低导通损耗与快速开关特性的理想结合。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）和480W（T_C）的最大功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STW68N65DM6-4AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39 毫欧 @ 36A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:118 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:480W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
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