STW70N60DM6-4技术参数详情：
STW70N60DM6-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4封装。其核心优势在于结合了600V的高耐压与62A的大电流处理能力，同时通过先进的超结技术将导通电阻（Rds(on)）显著降低至42毫欧（@10V, 31A），这直接带来了更低的传导损耗和更高的系统效率。
该器件具备优化的动态特性，如较低的栅极电荷（Qg）和经过改良的开关性能，有助于减少开关损耗并简化驱动设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和390W的最大功耗能力，确保了其在严苛环境下的可靠运行。这些特性使其成为追求高功率密度和高效率的现代开关电源与功率转换应用的理想选择。
- 型号:STW70N60DM6-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 31A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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