STW77N65M5

STW77N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和高达69A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与优异开关性能的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为38毫欧，同时栅极总电荷（Qg）低至200nC。这种特性组合使其在导通状态和开关瞬态都能保持高效率，最大结温150°C和400W（Tc）的功率耗散能力确保了高温环境下的可靠运行。

• 型号:STW77N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):69A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 34.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:9800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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