STW80NF06

STW80NF06是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件核心优势在于其强大的电流处理能力与极低的导通损耗，其连续漏极电流（I_D）高达80A，漏源电压（V_DSS）为60V，能够满足中高功率应用的需求。

其技术亮点体现在关键参数上：在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至8毫欧（@40A），这直接优化了传导效率并减少了热耗散。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值为150nC，有助于实现较快的开关速度，平衡了开关损耗。这些特性使其成为高效率功率开关设计的理想选择，尤其适用于对功耗和热管理有严格要求的场景。

• 型号:STW80NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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