STW88N65M5-4技术参数详情：
STW88N65M5-4是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M5产品系列。该器件采用TO-247-4L封装，具备650V的高漏源电压（Vdss）额定值，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为29毫欧（@42A, 10V），这使其在高压应用中能够显著降低传导损耗。
该MOSFET在壳温（Tc）条件下支持高达84A的连续漏极电流和450W的最大功耗，展现了出色的电流处理与散热能力。其优化的栅极电荷（Qg）特性有助于实现高效的开关性能。这些核心参数使其成为追求高效率和可靠性的工业级开关电源、电机驱动及新能源转换系统的优选功率开关器件。
- 型号:STW88N65M5-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
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