STW8N120K5技术参数详情：
STW8N120K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括1200V的漏源击穿电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），专为高压、高可靠性应用而设计。
其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻和栅极电荷（典型值13.7nC），这有助于显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统效率。同时，其最大结温高达150°C，功率耗散能力为130W，确保了在严苛热环境下的稳定运行。
总体而言，STW8N120K5通过平衡高压耐受能力与出色的开关性能，为目标应用提供了高效的功率开关解决方案。
- 型号:STW8N120K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STW8N120K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
