STW8NK80Z

STW8NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下6.2A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.5欧姆，同时栅极电荷（Qg）被优化至46nC。这一组合有效平衡了传导损耗与开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持高达140W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的高可靠性和稳定性。

• 型号:STW8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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