STW9NK95Z技术参数详情：
STW9NK95Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247封装，核心参数包括950V的漏源电压和7A的连续漏极电流，为高电压应用提供了坚实的耐压保障。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值仅为1.38欧姆，有助于显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷和优化的电容特性确保了快速、高效的开关动作，适用于高频开关电源拓扑。该器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，功率耗散能力达160W，展现了出色的鲁棒性和热管理潜力。
- 型号:STW9NK95Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 7A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2256 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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