STWA12N120K5技术参数详情：
STWA12N120K5是ST意法半导体推出的MDmesh K5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。其核心优势在于结合了1200V的高压阻断能力与优异的低导通电阻特性，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。
该器件在25°C壳温下可提供12A的连续漏极电流，最大导通电阻为690mΩ（@6A, 10V），有助于显著降低传导损耗。同时，其优化的栅极电荷（44.2nC @10V）和输入电容特性，确保了快速的开关性能，有利于提升系统工作频率和效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与250W的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工业环境要求。
- 型号:STWA12N120K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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