STWA35N65DM2技术参数详情：
STWA35N65DM2是ST意法半导体生产的一款高压功率MOSFET。该器件核心优势在于其强大的电流处理能力，在特定条件下可支持高达32A的连续漏极电流，这使其能够胜任中高功率级别的开关与调控任务。
作为一款有源器件，它专为需要高效电能转换的应用而设计。其参数特性经过优化，旨在降低导通损耗，提升开关速度，从而帮助终端系统实现更高的整体能效和功率密度。这款MOSFET适用于对可靠性和性能有严格要求的工业级电源与驱动方案。
- 型号:STWA35N65DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:PTD HIGH VOLTAGE
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
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