STWA40N95K5技术参数详情：
STWA40N95K5是ST意法半导体推出的一款采用MDmesh K5技术的高压N沟道MOSFET。该器件提供950V的漏源电压（Vdss）额定值，并在10V栅极驱动下实现了低至130毫欧（@19A）的导通电阻，显著降低了功率传导损耗。
其封装于TO-247-3中，在壳温25°C下可支持38A的连续漏极电流和高达450W的功率耗散。优化的栅极电荷（93nC @10V）与电容特性确保了快速的开关性能。这些特性使其成为高效、高可靠性开关电源、PFC电路及电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STWA40N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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