STWA45N65M5技术参数详情：
STWA45N65M5是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用TO-247封装，核心优势在于其650V的漏源电压（VDSS）与35A的连续漏极电流（ID）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值远低于78毫欧，有效降低了导通损耗。同时，低至82nC的栅极电荷（Qg）确保了开关过程的高效与迅速，有助于提升系统整体能效并简化驱动设计。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和能源转换系统中功率开关级的可靠解决方案。
- 型号:STWA45N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购STWA45N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
