STWA48N60M6技术参数详情：
STWA48N60M6是ST意法半导体推出的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和39A的连续漏极电流（Tc），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、19.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为69毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值57nC）和电容特性确保了快速的开关性能，有助于降低开关损耗并提升工作频率。宽广的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和250W的功率耗散能力，使其能够胜任工业电源、电机驱动和新能源逆变器等要求严苛的应用场景。
- 制造商产品型号：STWA48N60M6
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 39A TO247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh M6
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：69毫欧 @ 19.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：57nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2578pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247 长引线
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