STWA58N65DM2AG技术参数详情：
STWA58N65DM2AG是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心特性包括650V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下48A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高功率应用提供了坚实的电压和电流余量。
作为“Automotive”产品系列的一员，其设计严格遵循汽车电子可靠性标准，确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。这款MOSFET适用于各类要求高耐压、大电流及高可靠性的功率开关场景，是汽车电驱系统、车载充电及工业电源等中高功率密度设计的理想选择。
- 制造商产品型号：STWA58N65DM2AG
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 48A TO247
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-247 长引线
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