STWA63N65DM2

STWA63N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件隶属于先进的MDmesh DM2产品系列，核心优势在于其650V的高耐压与60A的大电流处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：极低的导通电阻（典型值50mΩ）有效降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（典型值120nC）则确保了快速的开关速度，有助于提升系统整体效率并降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、光伏逆变器和电机驱动等高效能转换系统的理想选择。

• 型号:STWA63N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• 现在可以订购STWA63N65DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。