STWA68N60M6技术参数详情：
STWA68N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装，属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）以及在壳温25°C下达63A的连续漏极电流（Id）。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为41毫欧 @ 31.5A，同时栅极总电荷（Qg）被控制在106nC @ 10V。这一特性组合使其在功率转换系统中能显著降低传导与开关损耗，提升效率。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围工作，最大功耗为390W，为高功率密度和严苛环境下的设计提供了可靠保障。
- 型号:STWA68N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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