STWA70N60DM2技术参数详情：
STWA70N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和66A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在优异的导通与开关特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为42毫欧 @ 33A，有效降低了传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值120nC @ 10V）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升系统整体效率与功率密度。
该器件设计稳健，最大功耗达446W（Tc），工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，适用于要求高可靠性的工业环境，如开关电源、电机驱动和光伏逆变器等领域。
- 型号:STWA70N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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