STWA72N60DM2AG技术参数详情：
STWA72N60DM2AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心额定参数为600V漏源电压和66A连续漏极电流，专为高要求的汽车与工业功率应用设计。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为42毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（121nC @10V）有助于实现更快的开关速度和降低驱动损耗。结合高达446W的功率处理能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够在苛刻环境下稳定可靠地工作。
- 型号:STWA72N60DM2AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 66A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 33A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:121 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5508 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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