STWA75N60DM6技术参数详情：
STWA75N60DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和在壳温25°C下72A的连续漏极电流（Id），提供了坚固的电气性能基础。
采用先进的超结技术，该MOSFET在导通电阻与栅极电荷之间实现了优异的平衡，旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗。TO-247长引线封装确保了出色的功率耗散能力和便捷的散热设计。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和新能源逆变器等要求高效率和高可靠性的功率转换系统的理想选择。
- 型号:STWA75N60DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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