STY139N65M5技术参数详情：
STY139N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高效能、高可靠性的功率开关应用。
其核心电气参数定义了卓越的性能表现：650V的漏源电压（Vdss）提供了强大的耐压能力，而130A（Tc）的连续漏极电流与低至17毫欧（@65A, 10V）的导通电阻相结合，确保了在大电流工况下的极低导通损耗。此外，优化的栅极电荷（Qg）和坚固的MAX247通孔封装，支持高开关频率下的高效运行与出色的热管理，适用于高功率密度设计。
- 型号:STY139N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 130A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 65A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:363 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:15600 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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