STY60NM50技术参数详情：
STY60NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（Vdss）和60A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括极低的导通电阻（50毫欧 @ 10V, 30A）和优化的开关特性（栅极电荷Qg最大266nC），这共同确保了较低的导通损耗和高效的开关性能。采用MAX247通孔封装，支持高达560W的功率耗散和150°C的结温，使其在要求高可靠性和卓越散热能力的工业级电源转换、电机驱动及UPS等应用中表现出色。
- 型号:STY60NM50
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:MAX247
- 封装/外壳:TO-247-3
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