STY80NM60N

STY80NM60N是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心优势在于600V的漏源击穿电压（Vdss）与高达74A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至35毫欧@37A，这直接降低了通态损耗。同时，360nC的栅极电荷（Qg）有助于简化驱动设计并控制开关损耗。器件采用通孔式MAX247封装，最大功率耗散为447W（Tc），工作结温高达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STY80NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):74A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:447W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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