T810H-6G-TR技术参数详情：
T810H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装、逻辑灵敏栅极双向可控硅。该器件设计用于高效的交流功率控制，其核心优势在于极低的栅极驱动需求，最大触发电压仅1V，最大触发电流10mA，可直接兼容微控制器输出，简化了驱动电路设计。
它提供了稳健的电气性能，包括600V的断态电压和8A的通态有效电流，并具备高抗浪涌能力（80A @50Hz），确保在负载突变时的可靠性。采用TO-263（DPak）封装，兼顾了功率处理能力与自动化生产的便利性，适用于空间受限的紧凑型应用。
- 型号:T810H-6G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC SENS GATE 600V 8A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极
- 电压 - 断态:600 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:10 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:25 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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