T850H-6G-TR技术参数详情：
T850H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装、无缓冲器型三端双向可控硅。该器件设计用于高效控制交流负载，其核心参数包括600V的断态电压和8A的RMS通态电流，提供了稳健的电压耐受性和电流处理能力。
其优化的触发特性，如最大1V的栅极触发电压和50mA的触发电流，允许其被微控制器等低功耗逻辑电路直接驱动，简化了控制接口设计。同时，高达80A的浪涌电流承受能力和150°C的最大工作结温，确保了其在电机启动等苛刻条件下的高可靠性和耐用性。
- 型号:T850H-6G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:600 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:50 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:75 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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