T850H-6G技术参数详情：
T850H-6G是ST意法半导体生产的一款8A、600V三端双向可控硅，采用无缓冲器设计和DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其强健的电气参数：高断态电压确保了在220V/380V交流系统中的安全边际，而8A的通态电流能力使其适用于中等功率负载控制。
其卓越的触发特性（Vgt≤1V， Igt≤50mA）允许其被微控制器等低压逻辑电路直接或简易驱动，极大简化了驱动电路设计。同时，高达80A的浪涌电流承受能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围，共同保障了其在电机控制、调光等存在冲击电流及环境温度变化的应用中具备高可靠性与长寿命。
- 型号:T850H-6G
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
- 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
- 电压 - 断态:600 V
- 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
- 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
- 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
- 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:50 mA
- 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:75 mA
- 配置:单路
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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