TD350IDT技术参数详情：
TD350IDT是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，属于电源管理IC中的栅极驱动器系列。该器件采用14-SOIC表面贴装封装，设计用于高效驱动N沟道MOSFET或IGBT。
其核心特性包括12V至26V的宽范围供电电压，以及高达2.3A（拉电流）和1.5A（灌电流）的峰值输出电流，配合快速的开关速度（典型上升时间130ns），能够实现对功率开关管的精准、高效控制。器件具备非反相输入逻辑，并拥有-40°C至150°C的宽工作结温范围，确保了其在工业级应用中的稳定性和鲁棒性。
- 型号:TD350IDT
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12V ~ 26V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
- 现在可以订购TD350IDT，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
