TD352ID技术参数详情：
TD352ID是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装。该器件设计用于高效驱动N沟道MOSFET或IGBT，其供电电压范围宽达12V至26V，并具备优异的开关性能，其输出级可提供高达1.7A（拉）和1.3A（灌）的峰值电流，典型上升/下降时间仅为100ns，有助于优化功率转换效率。
其逻辑输入兼容标准CMOS/TTL电平（VIL=0.8V， VIH=4.2V），采用非反相设计，便于与控制电路连接。器件工作结温范围为-40°C至150°C，确保了在工业级应用环境下的高可靠性，适用于电机控制、电源逆变器等需要高压侧驱动的场合。
- 型号:TD352ID
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:12V ~ 26V
- 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.3A，1.7A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
- 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns（最大）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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