THBT15011DRL技术参数详情：
THBT15011DRL是ST意法半导体THBT系列中的一款表面贴装型三端双向晶闸管浪涌保护器件。该器件设计用于为电子线路提供快速、可靠的过电压保护，其核心特性包括150V的断态工作电压和210V的导通触发电压，能够有效钳制高压瞬变。
它具备强大的浪涌处理能力，可承受10/1000s波形下30A的峰值脉冲电流，并在导通后仅需150mA的保持电流。其80pF的低电容值确保了对高速信号线路的最小干扰，使其非常适用于通信接口和工业总线端口的保护应用。
- 型号:THBT15011DRL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
- 描述:THYRISTOR 150V 30A 8-SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 电压 - 导通:210V
- 电压 - 断态:150V
- 电压 - 通态:-
- 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
- 电流 - 保持 (Ih):150 mA
- 元件数:3
- 电容:80pF
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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