THBT20011D技术参数详情：
THBT20011D是ST意法半导体THBT系列中的一款三端双向晶闸管浪涌保护器件，采用8SOIC封装。该器件设计用于为电子线路提供高效的过压瞬态抑制，其核心参数包括200V断态电压、290V导通电压以及可承受30A（10/1000s波形）的峰值脉冲电流。
器件具备150mA的保持电流，支持浪涌事件后的自动复位，无需外部干预。其80pF的低结电容特性，使其在提供强大浪涌保护的同时，能最大限度地减少对高速数据信号完整性的影响，非常适合通信接口和电源线的保护应用。
- 型号:THBT20011D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
- 描述:THYRISTOR 200V 30A 8-SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 电压 - 导通:290V
- 电压 - 断态:200V
- 电压 - 通态:-
- 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
- 电流 - 保持 (Ih):150 mA
- 元件数:3
- 电容:80pF
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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