THBT20011DRL技术参数详情：
THBT20011DRL是ST意法半导体THBT系列中的一款三端双向晶闸管浪涌保护器件，采用8SOIC表面贴装封装。该器件设计用于为电子线路提供高效的过压瞬态抑制，其核心参数包括180V的断态电压和高达30A（10/1000s波形）的峰值脉冲电流处理能力。
器件基于TRISIL技术，内部集成三个保护单元，可在电压超过290V的导通阈值时迅速动作，将危险能量旁路，并在浪涌过后自动复位。其低至80pF的电容值使其对信号完整性影响甚微，适用于需要保护通信接口或数据线的应用，如工业控制与网络设备。
- 型号:THBT20011DRL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > 晶闸管
- 描述:THYRISTOR 180V 30A 8-SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 电压 - 导通:290V
- 电压 - 断态:180V
- 电压 - 通态:-
- 电流 - 峰值脉冲 (8/20s):-
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):30 A
- 电流 - 保持 (Ih):150 mA
- 元件数:3
- 电容:80pF
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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