TIP115技术参数详情：
TIP115是ST意法半导体生产的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。该器件集成了达林顿对管结构，实现了极高的电流放大能力，其最小直流电流增益（hFE）在1A电流下可达1000，使其能够以极小的基极输入电流控制高达2A的负载电流，极大简化了驱动电路设计。
该晶体管具备60V的集电极-发射极击穿电压和2.5V的低饱和压降（@2A），确保了在开关应用中具有较高的效率和可靠性。其2W的额定功耗和150°C的最高结温，配合TO-220封装良好的散热特性，使其能够胜任多种中功率开关与控制任务，如电机驱动、继电器驱动和灯负载控制等。
- 型号:TIP115
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
- 描述:TRANS PNP DARL 60V 2A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:PNP - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 8mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 1A，4V
- 功率 - 最大值:2 W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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